關(guān)于退火爐設(shè)計(jì)方案的解析    

    快速退火爐是現(xiàn)代大規(guī)模集成電路生產(chǎn)工藝過(guò)程中的關(guān)鍵裝備。主要用于離子注入后雜質(zhì)的激活、淺結(jié)制作、生長(zhǎng)高質(zhì)量的氧化膜層和金屬硅化物合金形成等工藝。隨著集成電路工藝技術(shù)的飛速發(fā)展，開展快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)研究，對(duì)國(guó)內(nèi)開發(fā)和研究具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的快速退火爐裝備，有著十分重要的理論意義和工程應(yīng)用價(jià)值。

    公司針對(duì)現(xiàn)代半導(dǎo)體器件退火工藝對(duì)快速退火爐系統(tǒng)的技術(shù)要求，在綜合分析國(guó)內(nèi)外各種快速退火滬系統(tǒng)技術(shù)基礎(chǔ)上，通過(guò)深入的分析研究，設(shè)計(jì)了系統(tǒng)總體技術(shù)方案。擬定采用燈光輻射型熱源裝置，上下兩排成正交的燈管組對(duì)位于其中間的半導(dǎo)體硅片進(jìn)行直接加熱實(shí)現(xiàn)溫度的快速上升，以單點(diǎn)測(cè)溫作為溫度測(cè)量的解決方案作為系統(tǒng)總體方案.根據(jù)熱傳導(dǎo)基本理論，以實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)總體技術(shù)指標(biāo)作為己知參數(shù)計(jì)算得到系統(tǒng)所需要的熱功率，在此基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)熱源與反應(yīng)腔體、冷卻系統(tǒng)、送氣系統(tǒng)等部件的設(shè)計(jì)。通過(guò)分析影響硅片表面溫度邊緣效應(yīng)的因素，提出燈管分區(qū)及分區(qū)控制的設(shè)計(jì)方案，實(shí)現(xiàn)硅片表面溫度的均勻性;通過(guò)非接觸式溫度測(cè)量原理的分析，完成光學(xué)高溫計(jì)選型、測(cè)溫方案以及溫度校準(zhǔn)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)溫度的測(cè)量，基于系統(tǒng)模型的溫度控制器設(shè)計(jì)保證了溫度控制的精度與穩(wěn)定度;在分析硅片傳送功能性要求的基礎(chǔ)上，完成傳送系統(tǒng)流程設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)傳片效率與傳片的高可靠性;控制系統(tǒng)功能性設(shè)計(jì)、總體架構(gòu)以及主控制程序流程圖設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)整機(jī)的全自動(dòng)化，保證系統(tǒng)具有自動(dòng)化水平高、控制和管理功能強(qiáng)大、操作簡(jiǎn)便、可靠性高等特點(diǎn)，能很好地適應(yīng)快速退火爐系統(tǒng)對(duì)自動(dòng)控制的要求。

    試驗(yàn)結(jié)果表明，公司所設(shè)計(jì)的快速退火爐系統(tǒng)可以滿足半導(dǎo)體快速退火工藝對(duì)設(shè)備的要求。